注册制新股纵览：拓荆科技：国内半导体薄膜沉积设备领军企业

来源：上海申银万国证券研究所　　作者：《每日财讯网》编辑　　发布时间：2022-03-31

　　本期投资提示：

　　AHP 得分——拓荆科技2.73 分，总分的43.3%分位。考虑流动性溢价因素后，我们测算拓荆科技 AHP 得分为2.73 分，位于科创体系AHP 模型总分的43.3%分位，位于中游偏上水平；剔除流动性溢价因素后，我们测算拓荆科技AHP 得分为3.04 分，位于科创体系AHP 模型总分的48.5%分位，位于上游偏下水平。假设以70%入围率计，中性预期情形下，拓荆科技网下A、B、C 三类配售对象的配售比例分别是：0.0468%、0.0427%、0.0243%。

　　国内半导体薄膜沉积设备领军企业之一，核心设备已实现产业化应用。公司自成立以来持续拓展PECVD 设备产品线，并开拓ALD、SACVD 领域，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，目前是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD 和SACVD设备厂商，还是国内领先的集成电路ALD 设备厂商。2019-2020 年公司PECVD 设备中标机台数量占长江存储、上海华力、无锡华虹和上海积塔四家招标总量的16.65%，仅次于Lam和AMAT.目前公司研发的PECVD、ALD 及SACVD 设备系列化产品已累计发货超150 台，在集成电路制造及相关领域实现产业深度融合。公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储等国内主流晶圆厂产线，打破了国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。报告期内，公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。公司分别于2016、2017、2019 年获得中国半导体行业协会颁发的“中国半导体设备五强企业”称号。

　　国际化的技术团队优势，核心技术国际先进。公司以前后两任董事长为核心的五名国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队，在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献，产品已适配国内最先进的28/14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128 层3D NAND FLASH 晶圆制造产线。公司先后承担了“90-65nm 等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”、“1x nm 3D NANDPECVD 研发及产业化”等四项国家重大科技专项/课题。公司的先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术等核心技术，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题。公司产品在设备产能、机台稳定运行时间、平均故障间隔时等多项关键性能参数方面已达到国际同类设备水平。

　　行业快速发展叠加国产替代加速，公司迎来重大发展机遇。全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。Maximize Market Research 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025 年将从2020 年的172 亿美元扩大至340 亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。同时，，中国大陆的晶圆厂新建产能进程也在加快。再加上近年来国际形势日渐复杂，下游晶圆厂对于国产半导体设备的友好度日渐提升。公司作为能够实现进口替代的国内半导体设备厂商，在行业快速发展以及国产化替代趋势下拥有广阔的市场空间，将迎来巨大的成长机遇。

　　营收复合增速高于可比均值，21 年净利润实现扭亏为盈，毛利率逐年上升。2019 年-2021 年公司营收复合增速为73.69%，高于可比均值；综合毛利率逐年上升，整体略低于可比均值；研发支出占营收比重显著高于可比公司。

　　风险提示：拓荆科技需警惕扣除非经常性损益后尚未盈利及持续亏损；产品验收周期较长；收入依赖PECVD 系列产品，ALD 产品及SACVD 产品尚未得到大规模验证、Demo机台无法实现最终销售；客户相对集中；无控股股东及实际控制人等风险。

责任编辑：《每日财讯网》编辑

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